中国海洋大学成功举办“精仪致用”讲堂第六期——聚焦集成电路制造核心工艺

发布者:郭增乐发布时间:2026-04-22浏览次数:10

2026416下午,中国海洋大学精仪致用讲堂第六期活动在西海岸校区信息科学与工程学部电子工程学院顺利举行。本次讲堂由国有资产与实验室管理处主办、信息科学与工程学部电子工程学院承办,以从光刻到量测:解锁集成电路制造的关键密码为主题,聚焦半导体与集成电路核心工艺,面向师生开展前沿技术交流与产业实践分享。

活动围绕集成电路制造全流程关键技术展开,覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、材料 AI 分析、功率器件测试等核心环节,将技术原理、精密仪器应用与产业实践紧密结合,为师生呈现了一场内容充实、专业性强的半导体领域学术盛宴。

信息科学与工程学部电子工程学院集成电路微纳加工测试平台介绍

活动中,五位专家依次作专题报告,内容贯穿集成电路制造核心环节:CHEN DONG博士分享了激光直写无掩膜光刻技术的应用与国产进展,刘传钦与魏洪彪分别深入解析了干法刻蚀核心机制与物理气相沉积(PVD)工艺,董斯鸣展示了AI技术在半导体材料图像缺陷识别与工艺优化中的创新实践,赵锦林工程师则系统讲解了功率器件的设计要点与测试全流程,全面剖析了半导体前沿技术的原理与产业实践。

本次讲堂紧密对接集成电路产业前沿,内容兼具理论深度与实践指导性,有效拓宽师生专业视野,强化对精密仪器与半导体工艺的认知。

信息科学与工程学部电子工程学院集成电路微纳加工测试平台,是一处设备先进、工艺体系完备的专业化教学与科研支撑平台,占地500余平方米。平台覆盖微纳器件与芯片制造全流程,配备四大核心单元:图形化单元配有电子束曝光与紫外光刻系统,可实现30纳米至微米级图形转移与微结构制备;刻蚀单元配有感应耦合等离子体刻蚀机,满足硅基、介质及金属材料高选择比、高深宽比刻蚀要求;薄膜制备与材料生长单元配有磁控溅射系统,可精准调控金属、氧化物、氮化物等薄膜的厚度与组分;表征测试单元依托高分辨率场发射扫描电镜、半导体参数分析仪及探针台,具备形貌观测、膜厚测量与电学性能表征能力。该平台为集成电路工艺研发、微纳器件原型验证及第三代半导体研究提供全方位支撑,有力推动学院在新型微纳感知与集成系统等方向取得关键突破。

相关仪器设备面向校内外用户开放共享,联系人:顾老师,联系方式:guzhaorui@ouc.edu.cn


通讯员  卢羽佳